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[新聞] 驍龍 820支援的智慧手機,比聯發科十核更高階

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文章分類:HTC One M9+

kenny wang2015-5-19 00:30

http://technews.tw/2015/05/18/snapdragon-820-helio-x20/

聯發科 5 月 12 日發表預定 2015 年底出貨的全球首款十核心「Helio X20」系統單晶片之後,網友立即將之與高通(Qaulcomm Inc.)次世代八核心處理器「驍龍(Snapdragon)820」進行比較。最新消息透露,Helio X20 果然如聯發科所說、主要支援的是中高階智慧型手機,相較之下 Snapdragon 820 則可支援硬體規格更為高階的機種。
Techgadgtsz 14 日引述中國網友在微博外洩的 Snapdragon 820、Helix X20 規格比較表指出,Snapdragon 820 採用的是 14 奈米製程技術,優於 Helio X20 的 20 奈米製程。
(Source:微博另外,Snapdragon 820 使用了四顆高通 64 位元自主微架構「Kyro」中央處理器(CPU),最棒的是還支援到 DDR4 RAM。Phone Arena 隨後於 15 日指出,Kyro 架構至少與安謀(ARM)的 Cortex-A72 架構一樣強大。
相較之下,Helio X20 則採用三叢集架構,是針對高度、中度及輕度負載工作所設計,包含兩顆 ARM Cortex-A72 核心所組成的單架構(時脈為 2.5 GHz),以及四顆時脈 2 GHz 的 ARM Cortex-A53 核心、四顆時脈 1.4 GHz 的 Cortex-A53 核心。Helio X20 對記憶體最多僅支援到 DDR3。
Phone Arena 並指出,在繪圖處理器(GPU)方面,Snapdragon 820 搭配時脈 650 MHz 的 Adreno 530 GPU,可支援的螢幕解析度比 Helio X20 還要高,而其 4K 視訊編碼的畫面更新率(framerate)則是 Helio X20 的兩倍之多。
另外,Snapdragon 820 並支援 Category 10 4G LTE 行動上網技術、下載速度最多可達 450Mbps,而 Helio X20 則僅支援到 Category 6。

這兩顆核心最快在年底前會上市!


望、聞、問、切,為識病之要道
望以目察,聞以耳占、問以言審、切以指參,明斯診道,識病根源,能合色脈,
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ShangLai2015-5-19 00:41

Snapdragon 820 採用的是 14 奈米製程技術,優於 Helio X20 的 20 奈米製程」


根據在台積電工作的朋友回報,SAMSUNG的14nm製程,僅比台積電20nm製程快5%.......是真是假就不知道了。

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jackyshieh2015-5-19 00:53

ShangLai 發表於 2015-5-19 00:41
「Snapdragon 820 採用的是 14 奈米製程技術,優於 Helio X20 的 20 奈米製程」

這絕對是謠言, 14 nm 不可能比 20nm 只改善那麼一點點! 否則 tsmc 不會拼命發展 16nm Turbo 去挽回客戶的心,
這是謠言! 半導體一個世代不可能只改善那麼一點點!

Jacky
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Jodan2015-5-19 05:30

jackyshieh 發表於 2015-5-19 00:53
這絕對是謠言, 14 nm 不可能比 20nm 只改善那麼一點點! 否則 tsmc 不會拼命發展 16nm Turbo 去挽回客戶的 ...

是不錯啦!可是它是否和它的前輩一樣燙

強4登場 HTC論壇四週年‧★,:*:‧\( ̄▽ ̄)/‧:*‧°★*
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陳翊翔2015-5-19 06:47

看到這則新聞還蠻高興的,手機核心大戰暫時告一段落了

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ShangLai2015-5-19 12:30

jackyshieh 發表於 2015-5-19 00:53
這絕對是謠言, 14 nm 不可能比 20nm 只改善那麼一點點! 否則 tsmc 不會拼命發展 16nm Turbo 去挽回客戶的 ...

這是台積電內部評估的結果,個人認為可信度蠻高的。

之前就有聽說過了,三星的14nm指的不是device的大小,而是spacing,這是記憶體廠的慣例......

如果真是如此,三星的14nm的device可能比台積電的20nm device小不了多少,performance當然也有可能贏不了多少.....

事實上,台積電在PHOTO有多項專利,在這方面是獨步全球的,所以微縮能力一向很好.....

另外,三星沒有20nm這個世代,所以對三星來講,28nm -> 14nm,performance進步很多是真的......
本文章最後由( ShangLai )於 2015-5-19 12:31 編輯

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jackyshieh2015-5-19 16:34

ShangLai 發表於 2015-5-19 12:30
這是台積電內部評估的結果,個人認為可信度蠻高的。

之前就有聽說過了,三星的14nm指的不是device的大小 ...

各人在半導體工作過十數年, 由您的發言可知你可能對半導體不是那麼了解, 14nm 是最小 line/space, 通常這就是只 device 的 gate width, 所以 14 nm 的 device 一定是 70% shrink (to  20 nm), device area 可以縮到一半的面積,
這是為什麼半導體廠一直要發展下一世代的產品, 因為是很恐怖的 Cost down...

這東西有點複雜, 想要進一步了解, 網路上有很多基本認識的資料, 你可以再研究看看...

Jacky
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ShangLai2015-5-19 19:14

jackyshieh 發表於 2015-5-19 16:34
各人在半導體工作過十數年, 由您的發言可知你可能對半導體不是那麼了解, 14nm 是最小 line/space, 通常這 ...

我就是在半導業工作,前一個工作是記憶體廠,目前這個是IC design house,所以我深知記憶體廠與邏輯廠對於最小線寬的定義有何不同,就不知三星是否沿用記憶體廠的慣例取最小spacing(畢竟是做記憶體起家),還是follow台積電的習慣(最小L)。

另外,目前不論三星14nm還是台積電的16nm,都是FIN FET的架構,本公司有評估過,由20nm移到16nm,數位電路所佔的大小幾乎很難縮小,真正得到的是效能的突飛猛進,這是因為FIN FET先天架構的限制(雖然minimum L縮小,但整體device所佔面積沒縮小,不過換來的是漏電小以及Idsat大)。

還有,三星沒有20nm製程,所以拿台積電的20nm去對比三星的14nm,說它的device L會縮成70%是沒有意義的......因為兩者的sizing不一樣,layout上畫14nm,sizing過後不一定會是14nm,應該要拿同一間的公司來比才有意義。

最後,也別忘了mobility/Idsat/Ioff的因素,就算是同樣28nm technology,三星與台積電的Idsat/Ioff也不會一樣(一般而言,台積的Idsat會較高,Ioff會較低,因為台積電的gate oxide quality較好,可以做的較薄換來較好的performance)。
本文章最後由( ShangLai )於 2015-5-19 19:22 編輯

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天生龜毛人2015-8-21 02:46

ShangLai 發表於 2015-5-19 19:14
我就是在半導業工作,前一個工作是記憶體廠,目前這個是IC design house,所以我深知記憶體廠與邏輯廠對於 ...

台積電不是出來說自家的16奈米FinFET比對手14奈米快10%
加上明年中又有16奈米的進階版FFC。
三星是放話明年第四季要量產10奈米,我們就等著看,基本上台積電實力還是勝一籌。
本文章最後由( 天生龜毛人 )於 2015-8-21 02:48 編輯

come some of 謬日咖~
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ShangLai2015-8-22 20:51

天生龜毛人 發表於 2015-8-21 02:46
台積電不是出來說自家的16奈米FinFET比對手14奈米快10%
加上明年中又有16奈米的進階版FFC。
三星是放話明 ...

其實,FFC不是進階版,而是cost down版.......
面積稍小,mask數稍少,performance稍差.......

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