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Qualcomm確認Snapdragon 835名稱 明年上半年量產、採三星10nm FinFET製程
今年成功推行採用三星14nm FinFET製程技術的Smnapdragon 820、821處理器之後,Qualcomm確認下一款旗艦級處理器名稱就是Snapdragon 835,同時也確認將採用三星近期揭曉的10nm FinFET技術量產。
跳過日前市場猜測的830編號,Qualcomm確認下一款旗艦級處理器名稱將是Snapdragon 835,同時也將採用三星10nm FinFET技術量產,預計將在2017年上半年進入量產。
不過,Qualcomm並未透露Snapdragon 835處理器採用處理器架構與GPU等細節,但若以目前Qualcomm市場布局來看的話,有可能仍維持使用Kryo自主架構設計,而通訊規格則預期整合X16 LTE Modem,將可藉由4 x 20MHz頻寬、256-QAM、2組以上載波聚合等技術規格構成最高1Gbps下載速度。
若Snapdragon 835預計在2017年上半年才準備進入量產,預期會影響明年多家手機廠商旗艦機種推行時間,或是可能造成許多旗艦機種延續使用Snapdragon 821處理器的情況,除非Qualcomm額外在Snapdragon 835推行之前,額外加入新款高階處理器。
而就先前三星說明,在今年10月開始投入量產的10nm FinFET製程技術,相比14nm FinFET製程技術將可讓處理器面積縮減30%,並且在相同電壓之下增加27%效能,同時降低40%電力損耗。
除了三星宣布進入10nm FinFET製程技術,先前包含台積電、Intel也計畫在10nm FinFET製程技術競爭,若沒意外的話,Qualcomm Snapdragon 835處理器將會第一款採用10nm FinFET製程技術生產的高效能處理器產品。
公布Snapdragon 835名稱之餘,Qualcomm也同步確認Quick Charge 4.0電池快充技術細節,提供5分鐘內即可充入延長5小時使用時間電力效果。
以HTC M9用S810而HTC10用S820而言
這個S835作為型號跳過S830的旗艦處理器
也很可能會搭載在各廠牌2017年的旗艦機中啊
看這個規格介紹還挺讓我感到興奮的,期待明年