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標題: NAND閃存現危機！美好的電阻式RAM來啦 [打印本頁]

作者: 7606640d-1bcf-4bec-8117-8070fde31a1a 時間: 2014-12-22 17:56
標題: NAND閃存現危機！美好的電阻式RAM來啦
NAND閃存已經成為固態儲存的現行標準，並且正在向3D立體堆疊和更新工藝邁進，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命随著工藝的先進化而不斷縮短，TLC格式也引發了諸多質疑，因此研發一種可取而代之的新式非易失性儲存技術勢在必行。
這其中最有希望的就是电阻式RAM(簡稱RRAM)，三星、閃迪等巨頭都在投入，但走在最前列的是一家美國一家創業公司Crossbar。
Crossbar成立於2010年，總部位於加州生克拉拉，已融資5000多萬美元。公司的很多創業人員都来自密西根大學，首席科學家、聯合創辦人Wei Lu(盧偉)就是那裏的副教授。團隊現有40-45人，大多都有深厚的半導體研發背景。

RRAM相較於NAND最大的優勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微秒級别，Crossbar宣稱他們可以做到最低50納秒，也就是加快了上萬倍。
RRAM的編程/擦寫循環更是可以達到數百萬次，初期也能做到10萬次左右，NAND閃存现在只有區區幾千次。

令人歡欣鼓舞的最新消息是，Crossbar宣布他們的RRAM已經開始進入商業化階段，也就是有了可用的成品芯片，並證明自己能够進入工廠量產。
Crossbar初期準備面向嵌入式市場，授權給ASIC、FBGA、SoC開發商，預計首個樣品2015年初出爐，2015年底或2016年初量產。
除了授權，Crossbar還在開發自己的芯片，容量和密度更高，大概會在2017年面世。

更美妙的是，RRAM可使用常規的CMOS工藝制造，只需稍加調整即可，幾乎任何現有晶圓廠的生產線都可以直接利用，有利於控制成本。NAND，尤其是3D立體堆疊的NAND，則需要昂貴的特殊工具，所以能生產的公司寥寥無幾。
此外，RRAM不會有NAND工藝越先進、制造越困難、壽命越短、性能越低的尴尬。NAND之所以非要3D堆疊，唯一原因就是平面NAND在越過15nm工藝之後壽命和性能的損失將無法接受，RRAM則至少可以走到4-5nm，且期間不會有任何問題。
事實上，Crossbar已經在實驗室裏展示了8nm RRAM芯片。
RRAM當然也可以立體堆疊，能够大大提升儲存密度，同時還設計了獨特的選擇器(Selector)，來避免潜通路電流(sneak path current)的干擾——讀取某元件狀態時，會受到附近元件電流的影響，導致讀取錯誤。
Crossbar现在只做了3層，但是商業化量產時至少會有16層，單顆容量可達1Tb(128GB)。

以上文章來自http://news.mydrivers.com/1/357/357902.htm

科技日異進步，雖然閃存現在為大多數廠商所用，但一樣東西總有極限存在。當這條閃存科技路越來越窄時，廠商及科學家們就會開僻另一條路來，解決目前所面臨的困境，RRAM應該就是在這樣的背景中出現的。現代的科技發明造就我們生活的便利。感謝這些科學家們。也希望產品趕快面世。

作者: f4615fbf-2306-4477-91fe-cc722e93e745 時間: 2014-12-22 19:02
看來以後ssd的單價可望大幅下降壽命也更高了...

作者: 7606640d-1bcf-4bec-8117-8070fde31a1a 時間: 2014-12-22 20:05

Story Love 發表於 2014-12-22 19:02
看來以後ssd的單價可望大幅下降壽命也更高了...

就看RRAM何時能大量上市，那時價格就渴望拉低，並以更長的壽命取得市場。

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