HTC論壇

標題: 東芝研發全球首款256Gb、48層BiCS FLASH™ [打印本頁]

作者: 7d1b354d-dcfd-4752-8e39-59014df1aac0    時間: 2015-8-6 17:00
標題: 東芝研發全球首款256Gb、48層BiCS FLASH™

最近這家公司也是鬧得滿城風雨。
http://www.cna.com.tw/postwrite/Detail/175780.aspx#.VcMhfeAVEm8


--創新的3D堆疊式結構提高容量和性能—(中央社訊息服務20150804 15:16:03)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)今日推出新一代BiCS FLASH,一款三維(3D)堆疊式結構快閃記憶體*1。該新裝置是全球首款*2256 Gigabit(32GB)48層BiCS裝置,同時部署了產業領先的3-bit-per-cell(三階儲存單元,TLC)技術。樣品出貨將於9月開始。 這份智慧新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:http://www.businesswire.com/news/home/20150803005552/en/ BiCS FLASHTM採用最尖端的48層層疊製程,該製程超越主流二維NAND快閃記憶體的容量,同時提高寫入/擦除次數可靠性並提高寫入速度。這款全新的256Gb裝置適合各種應用,包括消費級固態硬碟(SSD)、智慧型手機、平板電腦和記憶體卡以及資料中心用的企業級SSD。 自從2007年6月推出BiCS FLASHTM原型技術以來,東芝一直繼續致力於最佳化量產的研發。為滿足2016年及以後快閃記憶體市場的長足發展需求,東芝將推出主要瞄準大容量應用領域(如SSD)的產品組合,以此積極促進向BiCS FLASH的過渡。 長期以來,東芝一直致力於快閃記憶體業務,目前,東芝正在其NAND快閃記憶體生產據點四日市業務部(Yokkaichi Operations)為新晶圓廠(Fab2)的BiCS FLASH量產做準備。Fab2將於2016年上半年完工。 *1:一種在矽基板上垂直堆疊快閃記憶體儲存單元的結構,相較於平面NAND快閃記憶體(儲存單元位於矽基板上),極大地提高了密度。*2:截至2015年8月4日。東芝調查。* BiCS FLASH是東芝公司的商標。

作者: 48c65404-5fae-431a-983c-aa06553f6af0    時間: 2015-8-6 17:16
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作者: 7d1b354d-dcfd-4752-8e39-59014df1aac0    時間: 2015-8-6 22:02
尼爾 發表於 2015-8-6 17:16
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心得:最近這家日本公司也鬧出財報造假的問題,現在的科技業恐怕有多家廠商都有營運方面的問題。




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