HTC論壇

標題: 15nm制程!世界最小閃存芯片誕生 [打印本頁]

作者: 7606640d-1bcf-4bec-8117-8070fde31a1a 時間: 2014-11-7 00:26
標題: 15nm制程!世界最小閃存芯片誕生
新一代閃存儲存規格UFS 2.0雖然前景不錯，然而當今主流閃存儲存市場仍然是eMMC當道。近日東芝推出了一款世界上體積最小的嵌入式NAND閃存芯片，採用15nm制程、支持最新的eMMC 5.0規範。
更小的體䅪意味着更小的空間佔用，也就意味着更適合用在智慧設備上，况且讀寫速度也有所提升。
UFS 2.0最高有接近1.5GB/s的速度，eMMC 5.0僅有400MB/s，東芝還是新一代閃存規格技術的参與者之一。但現在看來，想要推進新技術仍然需要市場慢慢接受。

以上文章來自http://news.mydrivers.com/1/323/323405.htm

希望各大廠能夠奮起，別再三星主導整個閃存市場，沒辦法誰叫他是產量第一大。(這裏所說的閃存就是我們常在說的ROM)
本文章最後由( 陳誠誼 )於 2014-11-7 00:35 編輯

作者: 3d068417-8ac9-4de7-99cf-af7b5cea1348 時間: 2014-11-7 00:47
日新月異的科技～好厲害，1.5G傳輸效率，實在好強。

作者: 7606640d-1bcf-4bec-8117-8070fde31a1a 時間: 2014-11-7 01:29

AndyLin 發表於 2014-11-7 00:47
日新月異的科技～好厲害，1.5G傳輸效率，實在好強。

科技是日新月異的進步，我很期待這東西能儘快上市，因為我想擺脫三星的控制。。哈哈！夠奇怪的理由吧！

作者: a94bf243-85eb-49de-85c5-ea56138387d3 時間: 2014-11-7 08:58

陳誠誼發表於 2014-11-7 01:29
科技是日新月異的進步，我很期待這東西能儘快上市，因為我想擺脫三星的控制。。哈哈！夠奇怪的理由吧！
...

印象中以前這些快閃記憶體是日本人的天下, 曾幾何時被韓國三星給幹掉了!!

擺脫三星~ 是非常好的理由與目標～　讚啦　

作者: 7606640d-1bcf-4bec-8117-8070fde31a1a 時間: 2014-11-7 09:31

Jovi 發表於 2014-11-7 08:58
印象中以前這些快閃記憶體是日本人的天下, 曾幾何時被韓國三星給幹掉了!!

三星一家的市佔就高達30%以上..市場價格都操控在它手中..連韓國政府都怕怕...因為三星一家若倒韓國經濟就會大受影響..
這個閃存就是我們在講的內建空間ROM..

作者: 7d283a73-d381-4ace-81da-bcf9d9cbb089 時間: 2014-11-7 10:00

陳誠誼發表於 2014-11-7 01:29
科技是日新月異的進步，我很期待這東西能儘快上市，因為我想擺脫三星的控制。。哈哈！夠奇怪的理由吧！
...

台灣的這些類似的廠商怎麼都不會想說要聯合創造利益？
合作才有更多飯吃啊！

作者: 79893dac-7f65-48df-a445-6268d8d0f97a 時間: 2014-11-7 11:29

BC 發表於 2014-11-7 10:00
台灣的這些類似的廠商怎麼都不會想說要聯合創造利益？
合作才有更多飯吃啊！
...

......很難

我記得幾年前因為全世界都在金融風暴，DRAM變成十足慘業。
那時政府出面主導這些DRAM業者合作求存，結果這些業者窩裡反，一部份人跑出來要另組聯盟。

...結果合作當然是告吹，實在很令人無言～

作者: 7606640d-1bcf-4bec-8117-8070fde31a1a 時間: 2014-11-7 12:51

RR 發表於 2014-11-7 11:29
......很難

我記得幾年前因為全世界都在金融風暴，DRAM變成十足慘業。

本來就很難..台灣人每個人都想當老闆..所以大好的江山就拱手讓人..加上政府軟弱無力..所以就破局了..讓三星獨大是業界最不願看到的事....說了這句話之後..會問然後呢......沒下文....

作者: 859fd407-fb0d-4c9c-bb3c-f5f49d12ec61 時間: 2014-11-7 17:04

陳誠誼發表於 2014-11-7 09:31
三星一家的市佔就高達30%以上..市場價格都操控在它手中..連韓國政府都怕怕...因為三星一家若倒韓國經濟就 ...

這裡講的閃存，所使用的是俗稱的NAND type flash。

原本flash memory是用來儲存開機程式碼，需要較快的random acess time，所以大多使用NOR type，但NOR type雖然random acess時間較短，可是因為Memory array中用的metal/contact較多(用來降低bit line/word line delay)，造成同樣die size下的容量密度小，所以後來才有NAND type的出現。

NAND type flash因為array中使用較少的metal/contact，所以單位面積下的容量密度高(是NOR type的好幾倍)，可是因為random acess time長很多，被大家認為是performance很差的NOR type flash。
也因此，一開始Toshiba開發出來時，到處兜售都沒人要，只有三星勉為其難的買下來(用很便宜的價錢).....

後來，因為隨身裝置的興起，造成記憶卡的大量需求，NAND type flash翻身，產值現已大幅超過NOR flash，三星反倒成為Toshiba最大的對手(Toshiba應該很後悔將專利賣給三星)。

不過，現在NAND type flash的基礎專利已經過期了，所以所有的公司都可以做.......

作者: 7606640d-1bcf-4bec-8117-8070fde31a1a 時間: 2014-11-7 20:56

ShangLai 發表於 2014-11-7 17:04
這裡講的閃存，所使用的是俗稱的NAND type flash。

原本flash memory是用來儲存開機程式碼，需要較快的r ...

大大真是專家，再在你面前搬門弄斧好像顯得小巫見大巫了。

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