加入 RRAM 開發戰線，Sony 與 Micron 共同發表新成果

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新世代的 NVRAM 開發逐漸進入火熱階段。

繼 Crossbar 在先前 IEDM 2014（IEEE International Electron Devices Meeting）發表了他們在電阻式記憶體（Resistive RAM, RRAM、ReRAM）的最新成果之後，Sony 也與合作夥伴 Micron 發表了自 2011 年首度公開 RRAM 試作品後的最新試作品結果。

在 RRAM 的合作關係中，Sony 與 Micron 各自扮演了重要角色；Sony 持有 RRAM 的技術，Micron 則是目前記憶體製造業的大廠。在今年的 ISSCC 2014 研討會中，先是公佈 16Gbit RRAM 的電路技術，緊接著在數日前的 IDEM 2014 中，發表裝置本體的製作。在此之前兩家廠商在次世代記憶體的發展是各有歧異的，Sony 在 2011 ISSCC 中發表了 4Mb 的 RRAM 試作品，而 Micron 則是鑽研相變式記憶體（PCM、PRAM）並且將 128Mb PRAM 商業化，但自此之後就無提升容量的後續動作。



這次 Sony 與 Micron 合作的樣品，方向上是以 “非揮發式 DRAM” 來製作，相比於待機時仍要繼續耗電的揮發性 DRAM，由於非揮發性的特性可以將電力完全關閉，因此在越來越講求能耗的的現在具有一定的吸引力。

實際上試做的產品也是朝向這樣的方向前進，16Gb 樣品有著單一顆晶片可以 2GB容量，適合電腦主記憶體的意味存在。成品的設計則是直接做成一般 DDR 介面的樣子，可以直接替換 DDR SDRAM；製造技術的部份，使用 27nm CMOS 製程，三層金屬配線、記憶體 Cell Size 大約在 6F^2（F 單位意指半導體的 Design Rule，通常指製程的金屬線寬），種種的特性都與目前較先進的記憶體製造製程類似。另外目前 RRAM 並沒有任何的量產紀錄，因此能否直接已高容量密度的設計直接量產會是可能的障礙，而同樣的製造成本能否與現在的 DRAM 匹敵，種種因素的拉扯或許也是初期樣品選擇 16Gb 的因素。

這次 Sony 與 Micron 發表的 Cell 設計，是以一個記憶單元搭配上一個身兼 Selector 的 MOS 組合，記憶單元的的組合結構，是以高位 CuTe 薄膜、絕緣薄膜與低位電極材料組合而成，是 Sony 早先開發結果的延續。





Sony 與 Micron 同時發表了實際測試的結果與 ISSCC 當時發表論文的性能預測比較，讀取性能在 900MB/s 左右，寫入則是 180MB/s ，與當初論文的設計預測結果相當接近，從這點看起來，繼續發展而至商品化的可能性相當高。




以上文章來自http://chinese.vr-zone.com/13825 ... st-result-12232014/

之前曾經上傳過RRAM的相關文章，現在又有SONY及Micron的加深投資計劃，使得RRAM的前景突然明亮起來，樂見它的及早的以合理價格上市。

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記得在前公司的時期，主力是Flash，而FRAM(日本廠商主推)、MRAM(歐美廠商主推)等都曾經紅極一時，但最後都無疾而終......

離開前，當時最被看好的是PCRAM(Phase-change RAM)，但沒想到現在變成了RRAM，只是看了一下它的SET與RESET的方式，與PCRAM還蠻像的，我想兩者間的差異應該還是材質的不同吧! 看來RRAM又是日商主推.....如果真的成為主流，想必授權費很貴......

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ShangLai 發表於 2014-12-27 12:12
記得在前公司的時期，主力是Flash，而FRAM(日本廠商主推)、MRAM(歐美廠商主推)等都曾經紅極一時，但最後都 ...

之前我所傳那篇文章中是美商...因此授權費問題應該不致太貴..再說它再貴也不會比新製程的閃存貴..因為它不需要使用昂貴的新設備方能生產...只要晶圓廠稍加修改即可..因此成本上低許多..這麼一來價格應該就不會太高了...
https://community.htc.com/tw/chat.php?mod=viewthread&tid=10789