東芝研發全球首款256Gb、48層BiCS FLASH™

7d1b354d-dcfd-4752-8e39-59014df1aac0 · 發表於 2015-8-6 17:00

最近這家公司也是鬧得滿城風雨。
http://www.cna.com.tw/postwrite/Detail/175780.aspx#.VcMhfeAVEm8

--創新的3D堆疊式結構提高容量和性能—(中央社訊息服務20150804 15:16:03)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)今日推出新一代BiCS FLASH，一款三維(3D)堆疊式結構快閃記憶體*1。該新裝置是全球首款*2256 Gigabit（32GB）48層BiCS裝置，同時部署了產業領先的3-bit-per-cell（三階儲存單元，TLC）技術。樣品出貨將於9月開始。這份智慧新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20150803005552/en/ BiCS FLASHTM採用最尖端的48層層疊製程，該製程超越主流二維NAND快閃記憶體的容量，同時提高寫入/擦除次數可靠性並提高寫入速度。這款全新的256Gb裝置適合各種應用，包括消費級固態硬碟(SSD)、智慧型手機、平板電腦和記憶體卡以及資料中心用的企業級SSD。自從2007年6月推出BiCS FLASHTM原型技術以來，東芝一直繼續致力於最佳化量產的研發。為滿足2016年及以後快閃記憶體市場的長足發展需求，東芝將推出主要瞄準大容量應用領域（如SSD）的產品組合，以此積極促進向BiCS FLASH的過渡。長期以來，東芝一直致力於快閃記憶體業務，目前，東芝正在其NAND快閃記憶體生產據點四日市業務部(Yokkaichi Operations)為新晶圓廠(Fab2)的BiCS FLASH量產做準備。Fab2將於2016年上半年完工。 *1：一種在矽基板上垂直堆疊快閃記憶體儲存單元的結構，相較於平面NAND快閃記憶體（儲存單元位於矽基板上），極大地提高了密度。*2：截至2015年8月4日。東芝調查。* BiCS FLASH是東芝公司的商標。