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[分享] NAND閃存現危機!美好的電阻式RAM來啦

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發表於 2014-12-22 17:56 | 只看該作者 |只看大圖 回覆獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
NAND閃存已經成為固態儲存的現行標準,並且正在向3D立體堆疊和更新工藝邁進,不過它也存在諸多問題,尤其是壽命随著工藝的先進化而不斷縮短,TLC格式也引發了諸多質疑,因此研發一種可取而代之的新式非易失性儲存技術勢在必行。
這其中最有希望的就是电阻式RAM(簡稱RRAM),三星、閃迪等巨頭都在投入,但走在最前列的是一家美國一家創業公司Crossbar。
Crossbar成立於2010年,總部位於加州生克拉拉,已融資5000多萬美元。公司的很多創業人員都来自密西根大學,首席科學家、聯合創辦人Wei Lu(盧偉)就是那裏的副教授。團隊現有40-45人,大多都有深厚的半導體研發背景。

RRAM相較於NAND最大的優勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微秒級别,Crossbar宣稱他們可以做到最低50納秒,也就是加快了上萬倍。
RRAM的編程/擦寫循環更是可以達到數百萬次,初期也能做到10萬次左右,NAND閃存现在只有區區幾千次。






令人歡欣鼓舞的最新消息是,Crossbar宣布他們的RRAM已經開始進入商業化階段,也就是有了可用的成品芯片,並證明自己能够進入工廠量產。
Crossbar初期準備面向嵌入式市場,授權給ASIC、FBGA、SoC開發商,預計首個樣品2015年初出爐,2015年底或2016年初量產。
除了授權,Crossbar還在開發自己的芯片,容量和密度更高,大概會在2017年面世。








更美妙的是,RRAM可使用常規的CMOS工藝制造,只需稍加調整即可,幾乎任何現有晶圓廠的生產線都可以直接利用,有利於控制成本。NAND,尤其是3D立體堆疊的NAND,則需要昂貴的特殊工具,所以能生產的公司寥寥無幾。
此外,RRAM不會有NAND工藝越先進、制造越困難、壽命越短、性能越低的尴尬。NAND之所以非要3D堆疊,唯一原因就是平面NAND在越過15nm工藝之後壽命和性能的損失將無法接受,RRAM則至少可以走到4-5nm,且期間不會有任何問題。
事實上,Crossbar已經在實驗室裏展示了8nm RRAM芯片。
RRAM當然也可以立體堆疊,能够大大提升儲存密度,同時還設計了獨特的選擇器(Selector),來避免潜通路電流(sneak path current)的干擾——讀取某元件狀態時,會受到附近元件電流的影響,導致讀取錯誤。
Crossbar现在只做了3層,但是商業化量產時至少會有16層,單顆容量可達1Tb(128GB)。
















以上文章來自http://news.mydrivers.com/1/357/357902.htm


科技日異進步,雖然閃存現在為大多數廠商所用,但一樣東西總有極限存在。當這條閃存科技路越來越窄時,廠商及科學家們就會開僻另一條路來,解決目前所面臨的困境,RRAM應該就是在這樣的背景中出現的。現代的科技發明造就我們生活的便利。感謝這些科學家們。也希望產品趕快面世。
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發表於 2014-12-22 19:02 | 只看該作者
看來以後ssd的單價可望大幅下降壽命也更高了...
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 樓主| 發表於 2014-12-22 20:05 | 只看該作者
Story Love 發表於 2014-12-22 19:02
看來以後ssd的單價可望大幅下降壽命也更高了...

就看RRAM何時能大量上市,那時價格就渴望拉低,並以更長的壽命取得市場。
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因為你讓我超越想像、不斷實現完美的畫面,讓我看見這一路令人驚豔的一切,我愛上HTC~
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