驍龍 820支援的智慧手機，比聯發科十核更高階

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http://technews.tw/2015/05/18/snapdragon-820-helio-x20/

聯發科 5 月 12 日發表預定 2015 年底出貨的全球首款十核心「Helio X20」系統單晶片之後，網友立即將之與高通（Qaulcomm Inc.）次世代八核心處理器「驍龍（Snapdragon）820」進行比較。最新消息透露，Helio X20 果然如聯發科所說、主要支援的是中高階智慧型手機，相較之下 Snapdragon 820 則可支援硬體規格更為高階的機種。
Techgadgtsz 14 日引述中國網友在微博外洩的 Snapdragon 820、Helix X20 規格比較表指出，Snapdragon 820 採用的是 14 奈米製程技術，優於 Helio X20 的 20 奈米製程。
（Source：微博）另外，Snapdragon 820 使用了四顆高通 64 位元自主微架構「Kyro」中央處理器（CPU），最棒的是還支援到 DDR4 RAM。Phone Arena 隨後於 15 日指出，Kyro 架構至少與安謀（ARM）的 Cortex-A72 架構一樣強大。
相較之下，Helio X20 則採用三叢集架構，是針對高度、中度及輕度負載工作所設計，包含兩顆 ARM Cortex-A72 核心所組成的單架構（時脈為 2.5 GHz），以及四顆時脈 2 GHz 的 ARM Cortex-A53 核心、四顆時脈 1.4 GHz 的 Cortex-A53 核心。Helio X20 對記憶體最多僅支援到 DDR3。
Phone Arena 並指出，在繪圖處理器（GPU）方面，Snapdragon 820 搭配時脈 650 MHz 的 Adreno 530 GPU，可支援的螢幕解析度比 Helio X20 還要高，而其 4K 視訊編碼的畫面更新率（framerate）則是 Helio X20 的兩倍之多。
另外，Snapdragon 820 並支援 Category 10 4G LTE 行動上網技術、下載速度最多可達 450Mbps，而 Helio X20 則僅支援到 Category 6。

這兩顆核心最快在年底前會上市!

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「Snapdragon 820 採用的是 14 奈米製程技術，優於 Helio X20 的 20 奈米製程」


根據在台積電工作的朋友回報，SAMSUNG的14nm製程，僅比台積電20nm製程快5%.......是真是假就不知道了。

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ShangLai 發表於 2015-5-19 00:41
「Snapdragon 820 採用的是 14 奈米製程技術，優於 Helio X20 的 20 奈米製程」

這絕對是謠言, 14 nm 不可能比 20nm 只改善那麼一點點! 否則 tsmc 不會拼命發展 16nm Turbo 去挽回客戶的心,
這是謠言! 半導體一個世代不可能只改善那麼一點點!

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jackyshieh 發表於 2015-5-19 00:53
這絕對是謠言, 14 nm 不可能比 20nm 只改善那麼一點點! 否則 tsmc 不會拼命發展 16nm Turbo 去挽回客戶的 ...

是不錯啦！可是它是否和它的前輩一樣燙

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看到這則新聞還蠻高興的，手機核心大戰暫時告一段落了

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jackyshieh 發表於 2015-5-19 00:53
這絕對是謠言, 14 nm 不可能比 20nm 只改善那麼一點點! 否則 tsmc 不會拼命發展 16nm Turbo 去挽回客戶的 ...

這是台積電內部評估的結果，個人認為可信度蠻高的。

之前就有聽說過了，三星的14nm指的不是device的大小，而是spacing，這是記憶體廠的慣例......

如果真是如此，三星的14nm的device可能比台積電的20nm device小不了多少，performance當然也有可能贏不了多少.....

事實上，台積電在PHOTO有多項專利，在這方面是獨步全球的，所以微縮能力一向很好.....

另外，三星沒有20nm這個世代，所以對三星來講，28nm -> 14nm，performance進步很多是真的......

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ShangLai 發表於 2015-5-19 12:30
這是台積電內部評估的結果，個人認為可信度蠻高的。

之前就有聽說過了，三星的14nm指的不是device的大小 ...

各人在半導體工作過十數年, 由您的發言可知你可能對半導體不是那麼了解, 14nm 是最小 line/space, 通常這就是只 device 的 gate width, 所以 14 nm 的 device 一定是 70% shrink (to  20 nm), device area 可以縮到一半的面積,
這是為什麼半導體廠一直要發展下一世代的產品, 因為是很恐怖的 Cost down...

這東西有點複雜, 想要進一步了解, 網路上有很多基本認識的資料, 你可以再研究看看...

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jackyshieh 發表於 2015-5-19 16:34
各人在半導體工作過十數年, 由您的發言可知你可能對半導體不是那麼了解, 14nm 是最小 line/space, 通常這 ...

我就是在半導業工作，前一個工作是記憶體廠，目前這個是IC design house，所以我深知記憶體廠與邏輯廠對於最小線寬的定義有何不同，就不知三星是否沿用記憶體廠的慣例取最小spacing(畢竟是做記憶體起家)，還是follow台積電的習慣(最小L)。

另外，目前不論三星14nm還是台積電的16nm，都是FIN FET的架構，本公司有評估過，由20nm移到16nm，數位電路所佔的大小幾乎很難縮小，真正得到的是效能的突飛猛進，這是因為FIN FET先天架構的限制(雖然minimum L縮小，但整體device所佔面積沒縮小，不過換來的是漏電小以及Idsat大)。

還有，三星沒有20nm製程，所以拿台積電的20nm去對比三星的14nm，說它的device L會縮成70%是沒有意義的......因為兩者的sizing不一樣，layout上畫14nm，sizing過後不一定會是14nm，應該要拿同一間的公司來比才有意義。

最後，也別忘了mobility/Idsat/Ioff的因素，就算是同樣28nm technology，三星與台積電的Idsat/Ioff也不會一樣(一般而言，台積的Idsat會較高，Ioff會較低，因為台積電的gate oxide quality較好，可以做的較薄換來較好的performance)。

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ShangLai 發表於 2015-5-19 19:14
我就是在半導業工作，前一個工作是記憶體廠，目前這個是IC design house，所以我深知記憶體廠與邏輯廠對於 ...

台積電不是出來說自家的16奈米FinFET比對手14奈米快10%
加上明年中又有16奈米的進階版FFC。
三星是放話明年第四季要量產10奈米，我們就等著看，基本上台積電實力還是勝一籌。

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天生龜毛人 發表於 2015-8-21 02:46
台積電不是出來說自家的16奈米FinFET比對手14奈米快10%
加上明年中又有16奈米的進階版FFC。
三星是放話明 ...

其實，FFC不是進階版，而是cost down版.......
面積稍小，mask數稍少，performance稍差.......